Xe~（8＋）离子双电子复合速率系数的理论研究

• 作者: 张义钊 张国鼎 符彦飙 董晨钟
• 来源期刊: 原子核物理评论
• 学科: 物理学
• 关键词: 双电子复合 速率系数 Xe8+离子
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 交叉学科
• 页码范围: 178-183
• 分类号: O562.4
• 语种: 中文

摘要

利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细研究了温度在0.1～1650 eV范围内Xe8＋离子的双电子复合（DR）过程。通过比较4s,4p和4d壳层电子激发的双电子复合速率系数,发现温度在10 eV以上时,内壳层4p电子激发的双电子复合速率数对总双电子复合速率系数有很重要的贡献,而4s电子激发对总双电子复合速率数贡献小于7.5%。给出了△n=0,1和2三类芯激发对总双电子复合速率系数的贡献以及自由电子俘获到不同主量子数的双电子复合速率系数,发现△n=2的芯激发和n＇〉15的DR速率系数对总DR速率系数的贡献也很重要。进一步给出了△n=0,1和2三类芯激发和总DR速率系数的拟合参数,拟合结果和计算值符合,偏差小于1%。通过对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数的比较得知,在温度高于1 eV时,DR过程是Xe8＋离子的主要复合过程。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国鼎		1	1	1.0	1.0
2	符彦飙		1	1	1.0	1.0
3	董晨钟		1	1	1.0	1.0
4	张义钊		1	1	1.0	1.0