密度泛函理论研究(CdTe)n和(HgTe)n团簇的基态结构和电子性质

• 作者: 孔德国 张红美
• 来源期刊: 西华大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: (CdTe)n和(HgTe)n团簇 能隙 二阶能量差分
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 基础学科
• 页码范围: 74-76,80
• 分类号: O561
• 字数: 1834字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-159X.2012.04.015

摘要

采用密度泛函理论中的广义梯度近似对(CdTe)n和(HgTe)n(n=2～8)团簇的几何结构进行优化,计算了其能量,研究了其电子性质.结合能、最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙计算结果表明,n=3、6是团簇的幻数；比较2种团簇的基态结构,发现2种团簇的最低能量结构不同,这可能是导致块体材料CdTe是宽带隙半导体材料,而HgTe是半金属材料的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张红美	塔里木大学机械电气化工程学院	32	46	4.0	4.0
2	孔德国	塔里木大学机械电气化工程学院	32	53	4.0	5.0