高性能ZnO低压压敏电阻器的研制及产业化

• 作者: 唐斌 岑权进 李强 陈加增 陈加旺
• 来源期刊: 现代技术陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO低压压敏陶瓷 Bi2O3,TiO2,SnO2掺杂 电性能 压敏场强
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 应用技术
• 页码范围: 54-56
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.758
• 字数: 1238字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-1198.2012.03.014

摘要

通过采用独特的Zn-BiTi—Sn配方体系，并运用高温（800℃）烧银技术，可实现压敏电压低压化，并能很好解决低压极性问题。制得的产品其压敏场强约20V／mm左右，电压极性为1V以下，非线性系数大30以上，泄漏电流5μA以下，限制电压比约1．5（2．5A），芯片Φ10mm产品经1300A雷电流（8／20μS）冲击，压敏电压变化率为3％左右，产品已实现产业化。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李强		3	0	0.0	0.0
2	唐斌		1	0	0.0	0.0
3	陈加旺		1	0	0.0	0.0
4	岑权进		1	0	0.0	0.0
5	陈加增		1	0	0.0	0.0