栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善

• 作者: 张文余 张金中 谢振宇 闵泰烨 陈旭
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅极绝缘层 氢化非晶硅 界面处理 TFT特性 等离子增强化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 991-995
• 分类号: TN141.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.11.08

摘要

在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性.本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化非晶硅开态电流特性的方法,包括提高单位面积栅绝缘层电容和改善载流子迁移率.实验结果表明,降低高速沉积栅绝缘层的气压和厚度,能有效提高单位面积栅极绝缘层电容.增加低速沉积栅绝缘层的Si/N比及优化氢等离子体处理工艺,可以有效改善载流子迁移率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈旭	北京京东方光电科技有限公司工艺开发部	11	41	4.0	5.0
2	闵泰烨	北京京东方光电科技有限公司工艺开发部	10	33	4.0	4.0
3	谢振宇	北京京东方光电科技有限公司工艺开发部	12	62	5.0	7.0
4	张文余	北京京东方光电科技有限公司工艺开发部	5	19	3.0	4.0
5	张金中	北京京东方光电科技有限公司工艺开发部	4	13	2.0	3.0