Co/Cu非连续多层膜的制备和GMR性能的研究

• 作者: 曾志斌 杜玉松 耿胜董 顾正飞
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: 磁控溅射 非连续多层膜 GMR效应
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 10-12
• 分类号: TM201.4
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射法制备了系列[Co0.55nm/Cut]30(t=0.6,0.9,1.2,1.5,1.8,2.1,2.4,2.7,3.0)非连续多层膜样品,并利用四探针法研究了Cu层厚度、退火温度以及周期数对薄膜巨磁阻(GMR)效应的影响.磁电阻测量表明,随着非铁磁层Cu层厚度的增加,薄膜样品的GMR效应总体呈下降趋势,并出现了振荡现象;经退火处理后,薄膜的GMR效应呈先增大后减小的趋势,在350℃达到最大,为-5.1%;薄膜的GMR效应随着周期数的增加而增大,当周期数为50时趋于恒定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾正飞	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	53	138	6.0	9.0
2	杜玉松	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	8	6	1.0	2.0
3	耿胜董	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	2	4	1.0	2.0
4	曾志斌		5	5	2.0	2.0