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摘要:
采用低成本、易操作的溶胶-凝胶法制备高质量的GaN纳米线.以硝酸镓为镓源、柠檬酸为络合剂制备出前驱物溶胶,甩胶于覆有催化剂的Si(111)衬底上,在氨气气氛下制备出GaN纳米线.利用XRD、SEM、TEM、EDS等对GaN纳米线进行表征与分析,结果表明1000℃氨化温度下,制备出的纳米线结晶度好,形貌优.并研究了催化生长GaN纳米线的生长机理.
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文献信息
篇名 GaN纳米线的溶胶-凝胶法制备及表征
来源期刊 硅酸盐通报 学科 工学
关键词 GaN纳米线 溶胶-凝胶 生长机理
年,卷(期) 2012,(5) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 1243-1246
页数 4页 分类号 TN304.2
字数 2467字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邓周虎 西北大学信息学院 39 330 9.0 16.0
2 王雪文 西北大学信息学院 45 408 11.0 18.0
3 赵武 西北大学信息学院 29 269 8.0 15.0
4 杨怡 西北大学信息学院 2 4 1.0 2.0
5 景钰洲 西北大学信息学院 1 4 1.0 1.0
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月刊
1001-1625
11-5440/TQ
16开
北京市朝阳区东坝红松园1号中材人工晶体研究院733信箱
80-774
1980
chi
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