GaAs基底TiO2/SiO2减反射膜的反射率性能分析

• 作者: 涂洁磊 肖祥江
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs多结太阳电池 TiO2/SiO2双层减反射膜 电子束蒸发 折射率
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 69-73
• 分类号: O484
• 字数: 3425字
• 语种: 中文

摘要

本文设计并制备了适用于砷化镓(GaAs)多结太阳电池的TiO2/SiO2双层减反射膜,通过实测反射谱来验证了理论设计的正确性.利用编程分析了TiO2、SiO2单层膜的厚度及其折射率对双层膜系反射率的影响.结果显示,在短波范围(300 ～600 nm),TiO2膜厚对反射率的影响要大于SiO2,而SiO2折射率对反射率的影响比TiO2大；在中波范围(600～900 nm),随着单层膜的厚度和折射率的增加,双层膜系反射率存在一个最小值,变化趋势是先降低,而随后增加.同时,计算结果得到SiO2和TiO2的最优物理膜厚分别为78.61nm和50.87nm,此时在短波段中心波长λ1=450nm处最小反射率为0.0034％,在中波段中心波长λ2=750nm处最小反射率为0.495％.采用电子束蒸发法在GaAs基底上淀积TiO2/SiO2双层膜,厚度分别为78 nm和5O nm.实测短波和中波相应的反射率极小值分别为0.37％和2.95％,与理论结果吻合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	涂洁磊		26	67	5.0	6.0
7	肖祥江		4	14	3.0	3.0