重掺磷衬底上外延层生长工艺研究

• 作者: 袁肇耿 赵丽霞 高淑红
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 正向压降 磷掺杂 失配 杂质扩散 杂质外扩
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 557-561
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.08.012

摘要

重掺磷衬底上硅外延片是制作集成电路开关电源的肖特基二极管和场控高频电力电子器件的首选产品.重掺磷衬底外延片可以大幅降低压降中半导体部分引起的压降所占的比例.介绍了重掺磷外延片的一种实用生产技术,在高浓度衬底外延后失配现象、杂质外扩抑制方法、减少外延过程中衬底磷杂质的挥发等方面进行了研究.在研究的基础上使用CSD公司的EpiProS000型外延设备进行工艺试验,采用盖帽层分层生长、变流量赶气和低温度生长等工艺条件控制磷杂质的扩散和挥发,从而减少自掺杂效应,获得良好的电阻率均匀性和陡峭的外延层过渡区.试验结果已成功应用于大规模生产,得到了用户认可.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵丽霞		14	36	4.0	5.0
2	高淑红		2	3	1.0	1.0
3	袁肇耿		8	36	4.0	6.0