NAND Flash 图像记录系统底层写入控制技术

• 作者: 任国强 吴钦章 孙健 徐永刚
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 交叉写入 流水线 NAND flash控制器 FPGA
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 页码范围: 138-144
• 分类号: TP391.41
• 字数: 2836字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2012.09.022

摘要

为提高图像记录系统中 NAND flash 阵列的存储带宽,分别研究和实现了 NAND flash 的片内交叉写入、片内并行写入和片内交叉并行写入控制技术,在此基础上提出了片内交叉写入和片外2级流水线结合的写入方法,该方法利用两组 NAND flash 片内交叉写入的命令地址和数据加载时间来填补烧写时间.最后用硬件方式在 FPGA中分别实现了上述各种写入控制方式的控制器.实验结果表明:本文实现的片内并行写入和片内交叉并行写入是普通写入方式速度的1.48903倍和3.27706倍,而本文提出的写入控制方法的写入速度是普通写入方式的3.96038倍,高于片外4级流水线的性能情况下,将 FPGA 管脚资源占用节省20%,有效降低了成本和记录系统实现难度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴钦章	中国科学院光电技术研究所	149	1392	19.0	27.0
2	孙健	中国科学院光电技术研究所	75	457	12.0	18.0
3	任国强	中国科学院光电技术研究所	37	347	11.0	17.0
4	徐永刚	中国科学院光电技术研究所	32	642	14.0	25.0