InAs/GaSbⅡ类超晶格与 HgCdTe 红外探测器的比较研究

• 作者: 余连杰 苏玉辉 邓功荣
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb HgCdTe Ⅱ类超晶格 红外探测器
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 页码范围: 683-689
• 分类号: TN215
• 字数: 4265字
• 语种: 中文

摘要

HgCdTe、QWIP 和 InAs/GaSbⅡ类超晶格被公认是第三代红外焦平面探测器的首选.主要对比分析了 HgCdTe 和 InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器,InAs/GaSbⅡ类超晶格具有响应波段宽且精确可控、工作温度高、载流子寿命长、暗电流低和均匀性好等优点,使其在甚长波、多色以及非制冷红外焦平面阵列等方面具有广阔的发展应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余连杰		24	105	6.0	8.0
2	邓功荣		8	26	3.0	4.0
3	苏玉辉		8	30	3.0	5.0