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摘要:
场发射现象在上世纪早期进行过深入的理论和实验研究,但是近年来在显示领域的应用潜力而引起人们的广泛关注和重视;同时场发射现象涉及典型的量子效应即隧穿效应,其细致的物理过程依然值得重视的一个研究领域.近年来场发射的理论研究主要是在两个领域:一是以提高场发射电流为目的进行的理论探索;二是场发射的物理过程.本文介绍近年来场发射理论研究的部分进展.
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文献信息
篇名 场发射理论研究进展
来源期刊 真空电子技术 学科 工学
关键词 隧穿效应 场发射理论 F-N理论
年,卷(期) 2012,(6) 所属期刊栏目 场致发射技术发展专题
研究方向 页码范围 30-34
页数 5页 分类号 TN141
字数 4385字 语种 中文
DOI
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1 元光 中国海洋大学信息科学与工程学院 26 100 5.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
隧穿效应
场发射理论
F-N理论
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空电子技术
双月刊
1002-8935
11-2485/TN
大16开
北京749信箱7分箱
1959
chi
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