ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构的低温控制合成及其光电性能

• 作者: 徐玉睿 李新建 王文闯 王新昌 田永涛 贺川 赵晓峰 陈文丽
• 来源期刊: 郑州大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO纳米管阵列 n-ZnONT/p-Si异质结构 光致发光 电流-电压曲线
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 56-61
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 3514字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn/1671-6841.2012.02.013

摘要

通过选择性腐蚀ZnO纳米棒,在p型Si衬底上低温合成了ZnO纳米管阵列,构成ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构(n-ZnONT/p-Si).ZnO纳米管阵列光致发光谱显示,在378 nm处出现了很强的紫外发射峰,而在500 nm左右有一个较宽的绿色发光峰,表明ZnO纳米管具有较好的结晶性.电流-电压曲线显示,n-ZnONT/p-Si异质结构在光暗两种条件下都表现出了较好的整流特性.在紫外光照射下,反向偏压区电流出现了较大的变化,反映出n-ZnONT/p-Si异质结构有较强的紫外光响应,有望成为潜在的紫外光探测器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王新昌	郑州大学材料物理教育部重点实验室	30	79	4.0	7.0
2	田永涛	郑州大学材料物理教育部重点实验室	16	29	3.0	3.0
3	陈文丽	郑州大学材料物理教育部重点实验室	2	3	1.0	1.0
4	赵晓峰	郑州大学材料物理教育部重点实验室	3	8	2.0	2.0
5	徐玉睿	郑州大学材料物理教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0
6	王文闯	郑州大学材料物理教育部重点实验室	2	7	2.0	2.0
7	贺川	郑州大学材料物理教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0
8	李新建		1	3	1.0	1.0