铜基引线框架氧化的产物、机理及控制措施

• 作者: 刘殿龙 徐冬梅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 引线框架 氧化 铜合金 可靠性 稀土元素
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 969-973
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.12.014

摘要

铜基引线框架氧化时先后分别生成Cu2O和CuO,形成结构为CuO/Cu2O/Cu的氧化产物.通过称重法估算氧化膜的厚度,通过电桥法测量电阻值评估引线框架的氧化程度.在引线框架的氧化初期,氧化速率由化学反应速率控制；在氧化中期,氧化速率由化学反应速率和扩散速率共同控制；在氧化后期,氧化速率由扩散速率控制.其中扩散过程包括Cu离子的向外扩散和氧原子的向内扩散.为了控制铜基引线框架的氧化,一方面可以优化封装工艺参数,降低封装过程对框架的氧化；另一方面,可以提高铜合金冶金技术,提高铜合金材料本身的抗氧化能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐冬梅		1	3	1.0	1.0
2	刘殿龙		2	3	1.0	1.0