微型半导体桥电容抗静电加固技术研究

• 作者: 姚洪志 尹国福 李黎明 王静雅 纪向飞
• 来源期刊: 火工品
• 关键词: 半导体桥 静电放电 抗静电 电容
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 6-10
• 分类号: TJ450.2
• 语种: 中文

摘要

针对微型半导体桥在强静电放电脉冲作用下可能出现损伤,从而导致半导体桥火工品早爆、误爆、可靠性降低等问题,研究了微型半导体桥在不同强度静电电压作用下的桥区损伤以及电阻变化情况,分析了静电电压强度与桥区损伤面积以及电阻变化之间的关系,并采用抗静电电容对微型半导体桥进行了抗静电加固以及性能实验.实验结果表明,半导体桥并联电容后抗静电能力增强,半导体桥桥区未出现损伤,药剂完好无损,但发火电压随电容值的增大而增大,作用时间随电容值的增大而变长,可根据具体半导体桥选择合适的并联电容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李黎明	陕西应用物理化学研究所应用物理化学国家级重点实验室	7	14	3.0	3.0
2	尹国福	陕西应用物理化学研究所应用物理化学国家级重点实验室	4	12	3.0	3.0
3	姚洪志	陕西应用物理化学研究所应用物理化学国家级重点实验室	12	9	2.0	2.0
4	纪向飞	陕西应用物理化学研究所应用物理化学国家级重点实验室	9	8	2.0	2.0
5	王静雅	陕西应用物理化学研究所应用物理化学国家级重点实验室	2	5	2.0	2.0