Compton散射对时变磁化等离子体光子晶体缺陷模的影响

• 作者: 文桦 郝东山 郝晓飞
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁化等离子体光子晶体 禁带 缺陷模 时域有限差分法 Compton散射
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 等离子体物理学
• 页码范围: 307-311
• 页数: 5页
• 分类号: O431
• 字数: 1741字
• 语种: 中文

摘要

应用多光子非线性Compton散射模型和分段电流密度卷积时域有限差分法,将入射光和Compton 散射光作为形成缺陷模的机制,研究了Compton散射对具有单一缺陷模的时变磁化等离子体光子晶体缺陷模的影响.结果表明:与Compton散射前相比,入射光频率低于等离子体频率时,禁带中仍存在明显的缺陷模,其频率随等离子体驰豫时间的增大而缓慢增大；等离子体弛豫时间相等时,等离子体均匀分布的禁带透射系数峰值比Epstein分布时小,两者的缺陷模特征都比较明显,但两者的禁带宽度及缺陷模之间的区别明显减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝东山	黄淮学院信息工程学院	51	113	6.0	8.0
2	郝晓飞	黄淮学院信息工程学院	31	44	4.0	4.0
3	文桦	黄淮学院电子科学与工程系	23	79	4.0	8.0