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低维碳基纳米材料的场电子发射特性
低维碳基纳米材料的场电子发射特性
作者:
李俊杰
王强
顾长志
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
一维碳基纳米材料
场致电子发射特性
等离子体技术
摘要:
利用等离子辅助化学气相沉积技术制备了一系列低维碳基纳米材料,如碳纳米管、碳纳米管锥及金刚石纳米锥等,由于其优异的力学、热学及电学特性,而成为真空场致电子发射的优选材料.本文介绍在单根和阵列结构低维碳基纳米材料的场电子发射特性及发射机制上的研究进展,并探讨这一领域今后的发展趋势.
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内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
低维碳基纳米材料的场电子发射特性
来源期刊
真空电子技术
学科
工学
关键词
一维碳基纳米材料
场致电子发射特性
等离子体技术
年,卷(期)
2012,(6)
所属期刊栏目
场致发射技术发展专题
研究方向
页码范围
23-29
页数
7页
分类号
TN141
字数
4337字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王强
中国科学院物理研究所微加工实验室
267
5471
42.0
69.0
2
顾长志
中国科学院物理研究所微加工实验室
21
86
5.0
8.0
3
李俊杰
中国科学院物理研究所微加工实验室
37
329
7.0
17.0
传播情况
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(0)
二级引证文献
(0)
2012(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
一维碳基纳米材料
场致电子发射特性
等离子体技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空电子技术
主办单位:
北京真空电子技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1002-8935
CN:
11-2485/TN
开本:
大16开
出版地:
北京749信箱7分箱
邮发代号:
创刊时间:
1959
语种:
chi
出版文献量(篇)
2372
总下载数(次)
7
总被引数(次)
8712
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