ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究

• 作者: 叶建东 朱振邦 朱顺明 郑有炓 顾书林 顾然 黄时敏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO / ZnMgO 异质结场效应管 迁移率
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 449-452
• 分类号: TN386
• 字数: 2033字
• 语种: 中文

摘要

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管.电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显.发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响.在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能