准一维纳米材料场致电子发射新理论研究

• 作者: 李志兵
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 场致电子发射 纳米材料 碳纳米管 宽带隙
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 场致发射技术发展专题
• 页码范围: 15-22
• 页数: 8页
• 分类号: TN141
• 字数: 6781字
• 语种: 中文

摘要

在飞速发展的纳米技术支撑下,近年来基于一维纳米材料的冷阴极场致电子发射研究和应用研发获得丰富的成果.相应的理论研究也不断深入,同时也发现一些新的理论问题亟待解决.简要回顾传统场致电子发射理论的主要内容之后本文将介绍一维纳米材料冷阴极场致电子发射理论研究的一些进展,重点在碳纳米管的尖端势垒和场发射图像,以及宽带隙纳米线场发射机制.关于宽带隙纳米线场发射,我们着重介绍了一个双电流模型.该模型假定纳米线表面存在定域态,在外电场下这些定域态能够把电子转移到纳米线尖端,在尖端形成积累层,场发射电流由表面定域态中的跳跃电流和导带上的电流共同维持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志兵	中山大学光电材料与技术国家重点实验室	7	22	3.0	4.0