H掺杂对ZnCoO稀磁半导体薄膜结构及磁性能的影响

• 作者: 叶展通 吕有明 曹培江 朱德亮 柳文军 贾芳 马晓翠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射法 ZnCoO稀磁半导体 H掺杂 Co 金属团簇
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 417-421
• 分类号: O484.4
• 字数: 2289字
• 语种: 中文

摘要

利用磁控溅射法,采用亚分子分层掺杂技术交替溅射Co靶和ZnO靶,在Si衬底上制备了不同氢氩流量比的H∶ZCO薄膜样品,研究了氢氩流量比对薄膜结构特性和磁学性能的影响.所制备的薄膜样品具有c轴择优取向.由于H对表面和界面处悬挂键的钝化作用,随H2流量比的增加,薄膜的择优取向变差.磁性测量结果显示,薄膜样品的铁磁性随着氢氩流量比的增大而增强.XPS结果表明,随着H含量的增大,金属态Co团簇的相对含量逐渐增加,而氧化态Co离子的相对含量逐渐减小.H∶ZCO样品中的铁磁性可能来源于Co金属团簇,H的掺入促使ZnO中的Co离子还原成Co金属团簇,从而增强了薄膜样品的室温铁磁性

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马晓翠	深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室	20	99	4.0	9.0
2	朱德亮	深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室	13	14	2.0	2.0
3	曹培江	深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室	12	24	3.0	4.0
4	柳文军	深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室	19	90	4.0	9.0
5	吕有明	深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室	12	27	3.0	4.0
6	叶展通	深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室	1	0	0.0	0.0
7	贾芳		1	0	0.0	0.0