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100G DWDM优化OSNR的技术
100G DWDM优化OSNR的技术
作者:
郭中华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
背靠背OSNR
Q裕量
纠前误码
软判决
400G芯片
摘要:
讨论了提升R点系统OSNR门限的3种方法以及在偏振复用相干检测技术下Q裕度的调整范围;最后论证了芯片技术是商用SD-FEC的关键.
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内容分析
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文献信息
篇名
100G DWDM优化OSNR的技术
来源期刊
邮电设计技术
学科
工学
关键词
背靠背OSNR
Q裕量
纠前误码
软判决
400G芯片
年,卷(期)
2012,(5)
所属期刊栏目
电信传输
研究方向
页码范围
43-46
页数
分类号
TN914
字数
4148字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1007-3043.2012.05.010
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
郭中华
5
13
3.0
3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
背靠背OSNR
Q裕量
纠前误码
软判决
400G芯片
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
邮电设计技术
主办单位:
中讯邮电咨询设计院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1007-3043
CN:
10-1043/TN
开本:
大16开
出版地:
北京市海淀区首体南路9号主语商务中心3号楼
邮发代号:
36-176
创刊时间:
1958
语种:
chi
出版文献量(篇)
5207
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总被引数(次)
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