硅对熔盐电解制备镨钕合金的影响

• 作者: 周爱国 彭少华 王俊 陈焱鑫
• 来源期刊: 中国钨业
• 学科: 工学
• 关键词: 镨钕合金 稀土 10 kA电解槽 硅 二氧化硅
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 冶金·材料
• 页码范围: 44-46
• 分类号: TF123.1+3
• 字数: 2390字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0622.2012.02.011

摘要

分析了在10 kA电解槽电解生产Pr-Nd合金过程中,SiO2对合金含Si量、电流效率以及炉况的影响.结果表明,电解质中过量的SiO2导致产品中Si含量≥0.05％,电流效率最低下降至57.4％.通过热力学计算得出在1300K时,SiO2与C生成CO反应的理论分解电压为0.767 V,远低于Pr2O3、Nd2O3与C生成CO反应的1.368 V和1.310 V.因此当原料中SiO2含量过高时,应采取低温电解、减少电解质补加量、多捞渣等措旋.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周爱国		3	4	1.0	2.0
2	陈焱鑫		1	3	1.0	1.0
3	彭少华		4	7	2.0	2.0
4	王俊		2	5	2.0	2.0