PVT法生长6H-SiC单晶中平面六方空洞缺陷研究

• 作者: 李翠 杨志民 杨立文 蒋秉轩
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: PVT 6H-SiC单晶 平面六方空洞 背向分解
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 942-946
• 分类号: O77
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2012.06.017

摘要

平面六方空洞是SiC晶体中一种典型的体缺陷,其存在严重影响了晶片的质量.因此,研究和去除平面六方空洞缺陷对提高晶片质量有重要意义.使用物理气相输运法(physical vapor transport,PVT)制备了4块6H-SiC单晶,使用光学显微镜观察了平面六方空洞的分布和形貌特征,并研究其形成机制.结果表明,平面六方空洞的形成主要由籽晶背向分解造成的.籽晶背向分解存在两个必要条件:籽晶背面存在与其相接触的气孔；气孔内与籽晶背面相接触的区域比其他区域温度高.籽晶背面的TaC致密膜层能够抑制籽晶背面的分解.结合使用在籽晶背面生成致密TaC膜层和粘结固定两种措施,有效地抑制了籽晶的背面分解,得到了无平面六方空洞缺陷的SiC晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨志民		40	363	9.0	17.0
2	李翠		2	9	2.0	2.0
3	杨立文		2	9	2.0	2.0
4	蒋秉轩		2	9	2.0	2.0