场发射技术在强流真空电子器件中的应用

• 作者: 翟莹 董长昆
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 场致发射 碳纳米管 大功率 真空电子器件
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 场致发射技术发展专题
• 页码范围: 1-5,22
• 页数: 6页
• 分类号: TN141
• 字数: 4073字
• 语种: 中文

摘要

阴极电子源是强流真空电子器件的核心部件,热阴极存在热辐射能耗大、开启时间偏长、高温下材料蒸发等缺陷.以碳纳米管(CNT)为代表的场发射技术在克服热阴极缺陷、提高器件性能上显示了卓越的潜力.本文回顾了基于CNT、场发射阵列等场发射阴极的强流器件(微波管、X射线管等)的发展现状,并对场发射技术存在的不足和可能的解决途径进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董长昆	温州大学微纳结构与光电器件研究所	10	15	2.0	3.0
2	翟莹	温州大学微纳结构与光电器件研究所	2	2	1.0	1.0