多层铜布线表面CMP后颗粒去除研究

• 作者: 刘楠 杨飞 檀柏梅 田巧伟 苏伟东 高宝红
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) 颗粒 吸附 非离子表面活性剂 清洗
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 829-832
• 分类号: TN305.97
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.12.012

摘要

针对目前清洗技术存在的问题进行了详细分析,研究了微电子材料表面污染物的来源及其危害,并介绍了表面活性剂在颗粒去除方面的作用.研究了化学机械抛光(CMP)后Cu布线片表面的颗粒吸附状态,分析了铜片表面颗粒的吸附机理.采用非离子表面活性剂润湿擦洗方法,使Cu表面的颗粒处于易清洗的物理吸附状态.利用金相显微镜和原子力显微镜(AFM)在清洗前后进行对比分析,实验采用聚乙烯醇(PVA)刷子分别对铜片和铜布线片进行清洗,发现非离子界面活性剂能够有效去除化学机械抛光后表面吸附的杂质,达到了较好的清洗效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	高宝红	河北工业大学微电子研究所	29	61	4.0	5.0
3	刘楠	河北工业大学微电子研究所	7	7	1.0	2.0
4	田巧伟	河北工业大学微电子研究所	5	15	2.0	3.0
5	苏伟东	河北工业大学微电子研究所	3	6	1.0	2.0
6	杨飞	河北工业大学微电子研究所	2	5	1.0	2.0