CCD热工艺过程的硅片翘曲优化研究

• 作者: 向鹏飞 吴可 邓涛 雷仁方
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: CCD 热工艺 翘曲度 光刻条宽
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 70-73
• 分类号: TN386.5
• 语种: 中文

摘要

针对光刻线宽均匀性控制问题,研究了硅片翘曲度对光刻线宽均匀性的影响。采用翘曲度测试仪研究热工艺过程中硅片翘曲度的变化。研究结果表明,硅片翘曲度对线宽均匀性产生重要的影响,翘曲度大,则线宽均匀性降低。通过优化栅氧化工艺的升降温速率、进出炉速率,使硅片翘曲度降低,线宽非均匀性由±4%降低到±2%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	向鹏飞		11	16	2.0	3.0
2	雷仁方		14	32	4.0	5.0
3	吴可		4	1	1.0	1.0
4	邓涛		4	32	2.0	4.0