单片集成三轴加速度传感器

• 作者: 刘智辉 王永刚 田雷
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单片 集成 三轴 加速度传感器 CMOS
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 913-917
• 分类号: TP212.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.12.003

摘要

基于硅压阻效应原理,单片集成三轴加速度传感器通过双惯性质量块和六梁结构组成敏感结构,其中四个L型梁对称布置用来测量x和y轴加速度；中间的对称双梁测量z轴加速度.通过工艺兼容技术,在同一芯片上制作出MEMS敏感结构和CMOS信号处理电路.利用ANSYS软件对所设计的结构进行了应力模拟分析,并对产品的加工工艺进行了描述.通过对研制出的单片集成三轴加速度传感器进行性能测试,验证了模拟分析的合理性,最终产品满足设计要求.所研制的产品具有体积小、可靠性高、易于批量生产等优点,可广泛应用于导航系统、汽车工业以及消费电子产品等领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田雷	中国电子科技集团公司第四十九研究所	15	52	5.0	6.0
2	王永刚	中国电子科技集团公司第四十九研究所	3	9	2.0	3.0
3	刘智辉	中国电子科技集团公司第四十九研究所	6	12	2.0	3.0