硅基底和金刚石基底上沉积ZnO薄膜工艺研究

• 作者: 席仕伟 赵兴海 陈颖慧 高杨
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 声表面波滤波器 ZnO薄膜 金刚石 射频磁控溅射 氩氧比 退火温度
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 25-28
• 分类号: TP212.2
• 字数: 2950字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2012.01.005

摘要

采用射频磁控溅射方法分别在硅基底和金刚石基底上制备ZnO薄膜,研究了硅和金刚石衬底的不同对ZnO薄膜生长机理的影响,同时分析了氩氧比和退火温度这两个工艺参数对薄膜的晶格取向和表面形貌的影响.利用XRD和AFM对ZnO压电薄膜的性能进行了测试.结果显示,金刚石基片上制备的薄膜表面状态远优于硅基片上的薄膜表面状态;在同类型基底上生长的ZnO薄膜,薄膜的晶格取向随着氩氧比的升高而增强；对于硅基底上生长的ZnO薄膜,适当的退火能够成倍地提高薄膜的c轴取向性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高杨	中国工程物理研究院电子工程研究所	150	833	13.0	19.0
2	席仕伟	中国工程物理研究院电子工程研究所	12	59	4.0	7.0
3	赵兴海	中国工程物理研究院电子工程研究所	34	240	9.0	14.0
4	陈颖慧	中国工程物理研究院电子工程研究所	15	82	6.0	8.0