温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响

• 作者: 李萌萌 武红磊 郑伟 郑瑞生 闫征
• 来源期刊: 深圳大学学报（理工版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体材料 氮化铝 升华法 非极化 温度场 晶体生长
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 光电工程
• 页码范围: 487-491
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 2416字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1249.2012.06487

摘要

研究升华法制备氮化铝晶体过程中,生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响.结果表明,当升华区与结晶区之间的温差较大时,氮化铝晶体的生长方向为c轴方向,显露面为c面；反之,温差较小时,氮化铝晶体的生长方向为与c轴垂直的a轴方向,显露面为m面.同时,生长区域温度场分布还影响晶体的生长尺寸和质量.在自行设计的双区电阻加热晶体生长装置中,通过精确控制升华区与结晶区之间的温度场,实现厘米级m面非极性氮化铝单晶体的制备,并对样品进行测试分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫征		2	4	1.0	2.0
2	武红磊		2	4	1.0	2.0
3	郑瑞生		2	4	1.0	2.0
4	李萌萌		1	3	1.0	1.0
5	郑伟		1	3	1.0	1.0