硅探测器加工中的离子注入工艺设计与控制

• 作者: 唐海林 张莉 罗剑波 谭刚
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 硅pin辐射探测器 pn结 注入能量 注入剂量 死层
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 824-828
• 分类号: TN305.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.12.011

摘要

应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器.首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40 keV和注入剂量为4×1014/cm2的两个重要控制参数.同时分析了在离子注入工艺中存在的影响因素和相应处理方法,对生产具有良好的指导作用.采用所设计的工艺参数制备获得的硅pin辐射探测器各项技术指标均满足要求,验证了离子注入工艺设计与参数控制的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐海林	中国工程物理研究院电子工程研究所	16	76	5.0	8.0
2	张莉	中国工程物理研究院电子工程研究所	8	17	2.0	4.0
3	谭刚	中国工程物理研究院电子工程研究所	10	47	4.0	6.0
4	罗剑波	中国工程物理研究院电子工程研究所	3	2	1.0	1.0