CMOS带隙基准源温度补偿的研究

• 作者: 杨雪 毕长红
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 温度补偿 带隙基准源 精度
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TN432

摘要

在模拟和混合集成电路中，CMOS带隙基准源是应用广泛的重要单元，针对温度补偿对基准源性能的影响，本文从介~CMOS带隙基准源的基本原理出发，分析了一阶补偿、二阶补偿以及更高阶补偿的CMOS带隙基准电路结构。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨雪	电子科技大学微电子与固体电子学院	16	26	4.0	4.0
2	毕长红	电子科技大学微电子与固体电子学院	7	4	1.0	2.0