微腐蚀去除硅衬底表面损伤及污染物研究

• 作者: 刘楠 檀柏梅 田巧伟 苏伟东 高宝红 黄妍妍
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学腐蚀 硅片清洗 表面损伤 颗粒 清洗液
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 820-823
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.12.010

摘要

硅片CMP工艺会引入表面缺陷和沾污,通常采用NaOH和KOH作为腐蚀溶液,利用微腐蚀法将硅片表面的损伤污染层剥离,以免导致IC制备过程中产生二次缺陷,但会不可避免地引入金属离子.制备了一种用螯合剂和表面活性剂复配的新型清洗液,利用螯合剂对硅片表面损伤层进行微腐蚀,同时采用表面活性剂去除硅片表面吸附的微粒.经台阶仪和原子力显微镜检测,该清洗液能有效去除硅片表面损伤层和颗粒,同时螯合剂本身不合金属离子,并且对金属离子有螯合作用,可有效避免传统腐蚀液中金属离子带来的二次污染.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子技术与材料研究所	85	534	13.0	18.0
2	高宝红	河北工业大学微电子技术与材料研究所	29	61	4.0	5.0
3	黄妍妍	河北工业大学微电子技术与材料研究所	10	25	2.0	4.0
4	刘楠	河北工业大学微电子技术与材料研究所	7	7	1.0	2.0
5	田巧伟	河北工业大学微电子技术与材料研究所	5	15	2.0	3.0
6	苏伟东	河北工业大学微电子技术与材料研究所	3	6	1.0	2.0