SiC/GaN功率半导体领域面临测试新挑战

• 作者: 吴琪乐
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 功率半导体 SiC/GaN 硅衬底 氮化镓 氮化铝 缓冲层 制程技术 驱动电源 降低成本 位分辨率
• 年，卷（期）: bdtxx,（2）
• 页码范围: 8-8
• 页数: 1页
• 分类号: TN307

摘要

【正】目前功率半导体厂商开始由硅转向替代材料,更具体地说是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。业界采用在硅衬底和氮化铝缓冲层之上生长GaN的技术来降低成本。这使得设备厂商可以利用现有硅制程技术在衬底上生长PN结。GaN定价也从原先10-15倍于传统硅下降到更容易接受的水平。