OLED用三氧化钨缓冲层的研究

• 作者: 张群 杨铭 林华平 稻秀美
• 来源期刊: 复旦学报：自然科学版
• 学科: 工学
• 关键词: 三氧化钨 掺钨氧化铟 有机电致发光器件 缓冲层
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 335-339
• 分类号: TM344.1
• 语种: 中文

摘要

采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟（IWO）作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧化钨缓冲层.XRD分析表明三氧化钨为非晶结构.对比测试了有无WO3缓冲层的两种OLED器件,发现带有WO3缓冲层的OLED器件的亮度和功率均是无三氧化钨缓冲层的器件的两倍,而且发光效率最高可以达到对比器件的4倍.从器件能带排列的角度初步讨论分析了提高器件性能的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张群	复旦大学材料科学系	110	917	15.0	24.0
2	杨铭	复旦大学材料科学系	15	116	5.0	10.0
3	稻秀美	复旦大学材料科学系	1	2	1.0	1.0
4	林华平	上海大学材料科学系	2	3	1.0	1.0