低能电子束光刻过程的Monte Carlo模拟分析研究

• 作者: 吴鹏 周再发 潘江涌
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束光刻 Monte Carlo模拟 低能电子束 显影轮廓图 邻近效应校正
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 812-819,828
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.12.009

摘要

对低能电子在光刻胶和衬底中的复杂散射过程进行分析和物理建模,采用Monte Carlo方法进行模拟研究.利用Browning拟合公式来解决Mott弹性散射截面计算速度慢的问题,采用D.C.Joy和S.Luo修正的Bethe能量损耗公式计算低能电子在固体中的能量损耗.通过跟踪电子的散射轨迹、计算电子的能量沉积密度、结合显影阈值模型,模拟出了电子束光刻的三维显影轮廓图.据此研究了入射电子束能量、剂量、光刻胶厚度、衬底材料、衬底和光刻胶形貌等不同条件下电子束曝光邻近效应的影响.此外,还将具有高斯分布特征的低能电子束入射产生的沉积能量密度进行移动处理,模拟一个以“T”字型为代表的较为复杂图形的电子束曝光过程,通过三维显影轮廓模拟图比较直观地显示了邻近效应的影响,并演示了采用电子束曝光剂量补偿的方法实现邻近效应校正的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周再发	东南大学电子科学与工程学院	4	8	2.0	2.0
2	吴鹏	东南大学电子科学与工程学院	26	242	8.0	15.0
3	潘江涌	东南大学电子科学与工程学院	1	2	1.0	1.0