选择性湿法刻蚀制备内嵌碳纳米管的沟槽结构

• 作者: 张朝晖 赵华波
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 钯 湿法刻蚀 沟槽
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 3-4
• 分类号: TN03
• 语种: 中文

摘要

提出一种“自下而上”的纳米结构的制备方法.在生长有碳纳米管的氧化硅表面沉积数纳米的钯金属膜后,用氢氟酸刻蚀,得到完全由碳纳米管引导的沟槽结构,并且碳纳米管沿沟槽分布在其底部.通过导电原子力显微镜对沟槽内的碳纳米管的表征,发现其仍然具有良好的导电性.在碳纳米管和钯金属膜之间增加一层磁控溅射沉积的氧化硅,可以增加沟槽的深宽比.通过降低钯金属膜的致密程度,沟槽的开口宽度可降至100 nm左右.该方法制备的结构可以进一步用来构建基于碳纳米管的纳电子器件