(Si/Ge)n多层薄膜的设计制备及光吸收性能

• 作者: 丛孟启 何明霞 余乐 刘劲松 刘建宁 彭洁 曹安 李子全 蒋维娜
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: (Si/Ge)n多层薄膜 射频磁控溅射 层数 厚度 UV-vis光谱
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1-6
• 分类号: O484.1|TB34
• 字数: 3520字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.01.001

摘要

采用射频磁控溅射技术,在石英玻璃衬底上沉积了具有不同层数和厚度的(Si/Ge)n多层薄膜.XRD、Raman光谱测试表明,溅射态薄膜为微晶结构,在溅射过程中层间扩散形成Si-Ge振动键,溅射时间和薄膜层数影响着薄膜层间的扩散和结晶率;FESEM结果表明,薄膜表面由颗粒团簇构成,层与层之间有明显界面.UV-vis光谱测试表明,(Si/Ge)n多层薄膜在可见光范围内具有较宽的吸收,增加薄膜层数可扩大太阳能光谱的响应范围,而增加Si单层膜厚度对光吸收范围的影响较小.