锗单品的位错研究

• 作者: 朱良 杨祖贵 闫洪 陈绍兰
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 锗单晶 位错形状和密度 金相分析
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 实验室特写
• 页码范围: 66-67
• 页数: 2页
• 分类号: O772
• 语种: 中文

摘要

采用金相分析方法研究了锗单晶的位错，腐蚀试剂的选择对位错的显示有较大影响。实验表明，铁氰化钾腐蚀液能清晰地显示出锗单晶的位错，其位错腐蚀坑的形状是三角形，经过计算，锗单晶的位错密度大约为11 339根／cm2。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫洪		51	314	7.0	17.0
2	朱良		5	10	2.0	3.0
3	杨祖贵		4	1	1.0	1.0
4	陈绍兰		3	3	1.0	1.0