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摘要:
介绍了平行平板结构内一种考虑次级电子能量分布的微放电统计理论.首先推导了电子在射频场作用下的运动轨迹,构建了电子完成双边碰撞的关于渡越时间的概率密度函数,然后通过电子出射相位的稳态假设,给出了稳态积分方程.最后根据Au与Ag两种材料由蒙特卡罗方法获得的次级电子发射系数曲线,计算得到相应的敏感区域.
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文献信息
篇名 基于统计理论的Au与Ag两种材料微放电敏感区域的计算
来源期刊 真空电子技术 学科 物理学
关键词 微放电 平行平板 统计理论 敏感区域
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目 研究与设计
研究方向 页码范围 1-3,22
页数 分类号 O461
字数 2348字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-8935.2012.03.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘纯亮 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 124 527 9.0 16.0
2 曹猛 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 25 109 6.0 9.0
3 李永东 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 42 184 8.0 11.0
4 林舒 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 9 21 3.0 4.0
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微放电
平行平板
统计理论
敏感区域
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
真空电子技术
双月刊
1002-8935
11-2485/TN
大16开
北京749信箱7分箱
1959
chi
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