低温酸刻蚀对多晶硅表面织构化的影响

• 作者: 周艺 李荡 欧衍聪 肖斌 郭长春 高振洲
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 低温刻蚀 多晶硅 表面织构化 腐蚀速率 温度
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 201-203,220
• 分类号: TM914.41
• 语种: 中文

摘要

采用低温酸刻蚀,通过优化HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比及相关工艺参数,在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,并进行SEM表面形貌分析和反射谱的测试。结果表明,低温刻蚀比常温刻蚀在生产工艺中更有利于控制反应速度,从而得到效果较好的绒面结构。研究中发现,在不同HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比中,温度对反应速率的影响有较大差异,当HNO3含量相对较低时,低温刻蚀工艺有较好的效果。所得最佳绒面制备方案为：酸腐蚀溶液体系配比为VHF∶VHNO3∶VH2O=1∶4∶2,温度为3℃,反应速率控制为2.6μm/min。该方案已在25MW多晶硅太阳电池生产线上实施,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周艺	长沙理工大学化学学院	37	321	10.0	17.0
2	李荡	长沙理工大学化学学院	2	3	1.0	1.0
3	高振洲	湖南神州光电能源有限公司技术研发部	1	2	1.0	1.0