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摘要:
基于CSMC 2P2M 0.6μm CMOS工艺设计了一种ESD保护电路。整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0.6μm CMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6μm CMOS工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1 mm×1 mm,参与MPW(多项目晶圆)计划流片,流片测试结果表明,芯片满足设计目标。
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文献信息
篇名 基于CMOS多功能数字芯片的ESD保护电路设计
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 CMOS工艺 ESD保护电路 版图设计
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目 电子·电路
研究方向 页码范围 57-59
页数 3页 分类号 TN32
字数 2223字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-7820.2012.04.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周子昂 周口师范学院物理与电子工程系 35 115 6.0 8.0
2 张利红 周口师范学院物理与电子工程系 43 170 8.0 9.0
3 徐坤 周口师范学院物理与电子工程系 30 99 6.0 8.0
4 姚遥 周口师范学院物理与电子工程系 14 22 3.0 4.0
传播情况
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2018(2)
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS工艺
ESD保护电路
版图设计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
月刊
1007-7820
61-1291/TN
大16开
西安电子科技大学
1987
chi
出版文献量(篇)
9344
总下载数(次)
32
总被引数(次)
31437
论文1v1指导