传输矩阵法和图解法计算二类超晶格能带结构

• 作者: 史衍丽 罗绍军 苗霈 邓军 魏晓航
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅱ型超晶格 传输矩阵法 图解法
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 207-210
• 分类号: TN301.1
• 语种: 中文

摘要

采用传输矩阵法和图解法对InAs/GaSb二型超晶格的能带结构参数进行了理论计算,确定量子阱宽、垒宽、垒高、响应波长等参数。针对不同的结构,采用传输矩阵法和图解法得到不同的响应波长,与实际波长相比较,分析了两种算法的优劣之处。结果表明：采用传输矩阵法计算得到的子能带位置进而推算得到的响应波长与实际波长更吻合,而图解法由于本身的局限性,对超晶格结构中能带的计算会带来一定的偏差。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓军	北京工业大学光电子实验室究所	57	219	7.0	10.0
2	史衍丽		41	372	8.0	18.0
3	苗霈	北京工业大学光电子实验室究所	3	10	2.0	3.0
4	魏晓航	北京工业大学光电子实验室究所	2	3	1.0	1.0
5	罗绍军	北京工业大学光电子实验室究所	1	2	1.0	1.0