硅微电容式二维加速度传感器的加工与测试

• 作者: 刘妤 杨红韵 温志渝 陈李
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS加速度传感器 二维电容式传感器 体硅工艺 ICP深刻蚀
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 444-447
• 分类号: TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2012.04.005

摘要

设计了一种基于体硅加工技术的单敏感质量元差分电容式二维加速度传感器,并采用硅-玻璃静电键合、ICP工艺释放等技术完成了二维加速度传感器的加工.测试结果表明:该二维加速度传感器两个检测方向上的灵敏度基本一致,线性度较好,交叉干扰较小.X、Y方向的灵敏度分别为58.3 mV/gn、55.6 mV/gn；线性相关系数分别为0.9968、0.9961,交叉灵敏度分别为6.17％、7.82％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温志渝	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	143	1259	18.0	26.0
5	刘妤	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	9	80	4.0	8.0
14	杨红韵	重庆理工大学汽车学院	2	3	1.0	1.0
15	陈李	重庆理工大学汽车学院	1	1	1.0	1.0