ZnO薄膜的性质对水热生长ZnO纳米线阵列的影响

• 作者: 孙兰兰 张振中 徐志堃 申德振 秦杰明 赵东旭 鄂书林
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 水热法 纳米线阵列 直径 密度
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备与器件物理
• 页码范围: 549-552
• 分类号: O484.4
• 字数: 1960字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123305.0549

摘要

用水热法在ZnO薄膜上制备了直径、密度及取向可控的ZnO纳米线阵列.ZnO薄膜是通过原子层沉积(ALD)方法制备并在不同温度下退火处理得到的,退火温度对ZnO薄膜的晶粒尺寸、结晶质量和缺陷性质有很大的影响.而ZnO薄膜的性质对随后生长的ZnO纳米线的直径、密度及取向能起到调节控制的作用.通过扫描电子显微镜( SEM)、X射线衍射(XRD)仪和光致发光(PL)测试对ZnO薄膜和ZnO纳米线进行了表征.最后得到的垂直取向的ZnO纳米线阵列适合在发光二极管和太阳能电池等领域使用.