S掺杂ZnO薄膜光电特性的研究

• 作者: 向斌宾 李建国 王继珉 蒋向东
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 禁带宽度 ZnO∶S薄膜
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 20-23
• 分类号: TN304.2|TN36
• 字数: 3502字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-023X.2012.06.006

摘要

采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上生长了ZnO∶S薄膜.XRD测试表明所制薄膜为六角纤锌矿结构,具有明显的(002)衍射峰.室温下的透射光谱测量结果表明,随着S掺入量的增加,ZnO∶S合金薄膜的吸收边向长波长方向移动,但在可见光部分有较高的透过率.在此基础上计算了各样品的禁带宽度,结果表明,在S掺入量小于8％的范围内,随着S掺入量的增加,禁带宽度减小.样品紫外光电导特性明显,在波长365nm、功率4000μW/cm2紫外光源照射下,紫外光与可见光所对应光电流响应之比可达3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋向东	电子科技大学光电信息学院	34	154	6.0	10.0
2	向斌宾	电子科技大学光电信息学院	2	10	2.0	2.0
3	李建国	电子科技大学光电信息学院	3	11	2.0	3.0
4	王继珉	电子科技大学光电信息学院	1	4	1.0	1.0