高电源噪声抑制比带隙基准源设计

• 作者: 吴丽丽
• 来源期刊: 华侨大学学报（自然科学版）
• 关键词: 带隙基准源 电源噪声抑制比 低工作电压 低功耗 模拟IP
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 265-268
• 分类号: TN431.1
• 语种: 中文

摘要

采用CSMC 0.35μm工艺,通过在电源和带隙基准源电路间插入电流源缓冲级的方法,设计提高带隙基准源电源噪声抑制能力的带隙基准源.在最低工作电压不变的情况下,所设计的带隙基准电源大幅度提高了电路的电源抑制比,且功耗低.仿真结果表明:电源抑制比值为11o dB/40 dB,Iq=12 μA,Vmin=2.4 V,可作为模拟IP(知识产权)且易集成于单片系统中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴丽丽	华侨大学信息科学与工程学院	4	3	1.0	1.0