Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响

• 作者: 伍斌 史志锋 夏晓川 张仕凯 张宝林 杜国同 王辉 董鑫 蔡旭浦 高榕
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜 射频磁控溅射 退火温度
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 934-938
• 分类号: O484.4
• 字数: 2772字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123309.0934

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO (ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得.通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响.利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析.测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显.其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω·cm,载流子浓度为1.07×1020 cm-3,可见光区平均透过率为75.3％.