高Al组分n-AlGaN的Ti/Al/Ti/Au欧姆接触

• 作者: 周勋 罗木昌 赵文伯 黄烈云
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 高Al组分n-AlGaN Ti/Al/Ti/Au 接触层厚度 两步退火 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 230-234
• 分类号: TN305
• 语种: 中文

摘要

采用Ti/Al/Ti/Au多层金属电极对高Al组分n-AlxGa1-xN（x=0.6）欧姆接触的制备进行了研究,通过优化Ti接触层厚度以及合金退火条件,获得了较低的比接触电阻率（5.67×10-5Ω.cm2）。研究证实,Ti接触层厚度对欧姆接触特性有着重要影响,同时发现,高低温两步退火方式之所以能够改善欧姆接触特性的本质是与Al3Ti及TiN各自的生成条件直接相关,即低温利于生成Al3Ti,高温利于生成TiN,而这对n型欧姆接触的有效形成至关重要。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵文伯		20	159	5.0	12.0
2	罗木昌		13	78	5.0	8.0
3	周勋		21	79	5.0	8.0
4	黄烈云		11	66	4.0	8.0