薄膜基板芯片共晶焊技术研究

• 作者: 巫建华
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 共晶焊 空洞 剪切强度 接触电阻
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 4-8
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 4271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2012.06.002

摘要

共晶焊是微电子组装技术中的一种重要焊接工艺，在混合集成电路中得到了越来越多的应用。文章简要介绍了共晶焊接的原理，分析了影响薄膜基板与芯片共晶焊的各种因素，并且选用Ti／Ni／Au膜系和AuSn焊料，利用工装夹具在真空环境下通入氮、氢保护气体的方法进行薄膜基板芯片共晶焊技术的研究。试验证明：焊接基板金属化Au层厚度1．5μm，焊接压力为2kPa，焊接温度330℃，时间30s可有效地使空洞面积控制在10％以下。并在150℃高温贮存以及-65℃～150℃温度循环后对共晶焊接样品的剪切强度和接触电阻进行了试验。在可靠性试验后，样品的剪切强度满足GJB548B-2005的要求，接触电阻变化率小于5％。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巫建华		5	41	3.0	5.0