SiC靶功率密度对无氢掺硅类金刚石薄膜摩擦学性能的影响

• 作者: 代明江 侯惠君 张贺勇 林松盛 胡芳 韦春贝
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 无氢掺硅类金刚石薄膜 摩擦因数 磨损率
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 表面工程研究
• 页码范围: 37-42
• 分类号: TG174.442|TG115.58
• 字数: 3683字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9289.2012.02.007

摘要

采用直流磁控溅射石墨靶、中频磁控溅射碳化硅靶以及离子源辅助的复合沉积技术,制备出膜层质量优异、摩擦因数和磨损率较低的具有不同Si含量的无氢掺硅类金刚石薄膜.使用XPS、拉曼光谱仪、台阶仪、纳米硬度计、SEM、EDS以及球盘式摩擦磨损试验仪测试并表征薄膜的微观结构、力学性能和摩擦学性能.研究表明,该技术能够成功制备出无氢掺硅类金刚石薄膜；随着SiC靶功率密度的增加,薄膜中Si的含量和sp3键的含量逐渐增加,其纳米硬度和弹性模量先增大后减小,摩擦因数由0.277降低至0.066,但其磨损率从6.29×10-11mm3/Nm增加至1.45×10-9mm3/Nm；当SiC靶功率密度为1.37 W/cm2时,薄膜的纳米硬度与弹性模量分别达到最大值16.82 GPa和250.2 GPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林松盛	广州有色金属研究院新材料研究所	45	332	11.0	14.0
2	胡芳	广州有色金属研究院新材料研究所	13	62	5.0	7.0
3	代明江	广州有色金属研究院新材料研究所	52	458	13.0	18.0
4	韦春贝	广州有色金属研究院新材料研究所	13	55	5.0	7.0
5	侯惠君	广州有色金属研究院新材料研究所	34	234	10.0	13.0
6	张贺勇	华南理工大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0