组份变化的InGaAsSb/AIGaAsSb多量子阱结构对其X射线衍射及发光性质的影响

• 作者: 单含 李梅
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaSb衬底 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构 X射线双晶衍射 发光性质
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 68-71
• 分类号: TN248.1
• 字数: 1587字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123301.0068

摘要

通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性.X射线双晶衍射谱中出现了8条卫星峰,表明制备的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构具有良好的结晶质量.利用光致发光光谱方法对制备的样品的光学性质进行了表征,结果表明,不同组份的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的发光峰波长随组份的变化在1.6～2.28 μm范围内可调,样品PL谱的半峰宽最窄可达22 meV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李梅		10	29	3.0	4.0
2	单含		2	9	1.0	2.0